計算機及相關(guān)的外圍產(chǎn)品逐漸微小化的趨勢下﹐作為內存儲存的
磁性材料 研究﹐也逐漸走向高密度的方向。然而﹐由于密度的提高﹐在單位體積/面積上所需要進(jìn)行資料位儲存的磁場(chǎng)﹐也隨之提高。而因為高磁場(chǎng)的產(chǎn)生有技術(shù)上的困難﹐使得高密度
磁性材料的應用﹐面臨了限制與瓶頸。
近日，日本東北大學(xué)大野實(shí)驗室(注)的Daichi Chiba﹐發(fā)表了利用施加電場(chǎng)
磁性材料廠(chǎng) ﹐可以降低存取資料所需磁場(chǎng)大小的研究結果。這項研究發(fā)現鐵氧體生產(chǎn)廠(chǎng)家 ﹐透過(guò)施加電場(chǎng)在磁性記憶儲存材料﹐可以降低寫(xiě)入資料時(shí)需要施加的磁場(chǎng)，有可能被應用在制造超高密度的內存上。
Daichi等人的實(shí)驗是先在攙有錳(Mn)金屬而具鐵磁性的砷化銦(InAs) 上﹐鐵氧體方塊 鍍上一薄層絕緣體與金屬電極﹐然后再通過(guò)
磁性材料電極對砷化銦施加電場(chǎng)。當施加1.5MV/cm的電場(chǎng)時(shí)﹐所需要改變磁矩極性(進(jìn)行資料寫(xiě)入)的磁場(chǎng)大小﹐是未加電場(chǎng)時(shí)的五分之一。這個(gè)發(fā)現﹐使得高密度
磁性材料的研究﹐又出現了一線(xiàn)希望。切割磁鐵 不過(guò)﹐計劃主持人Hideo Ohno表示﹐由于他們的實(shí)驗是在絕對溫度30K的低溫下進(jìn)行﹐其發(fā)現僅能算是初步證實(shí)施加電場(chǎng)的可行性。如果要談到實(shí)際應用方面﹐切割方塊 還得以在室溫下進(jìn)行的實(shí)驗來(lái)驗證。
